吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

藍寶石襯底研磨用什么拋光液

  CMP工藝怎么研磨藍寶石襯底？需要搭配什么拋光液？藍寶石拋光萬能公式：粗拋、中拋、精拋，每道工序使用不同磨料的拋光液和拋光PAD：①藍寶石CMP粗磨：藍寶石襯底粗磨可以選擇硬度高切削力強的吉致金剛石研磨液，搭配金剛石磨盤，速率高效果好可有效去除藍寶石表面的不平和劃痕。②藍寶石CMP中拋：這一步可以用銅盤+小粒徑的金剛石研磨液，用來去除粗拋留下的紋路，為鏡面拋光做前期準備。③藍寶石CMP精拋：CMP精拋是藍寶石襯底最后一道工序，需要用到拋光墊+納米氧化硅拋光液來收光，呈現(xiàn)平坦無暇的鏡面效果。 

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半導體先進制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進行中

  國內(nèi)半導體制造的崛起加速推動了半導體材料的國產(chǎn)化進程。在政策、資金以及市場需求的帶動下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，帶動上游材料需求增長。先進制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增，國產(chǎn)替代進行中。  CMP拋光墊（CMP PAD）一般分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等，高精密研磨拋光墊應(yīng)用于半導體制作、平面顯示器、玻璃光學、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè)，目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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CMP在半導體晶圓制程中的作用

  化學機械拋光（CMP）是實現(xiàn)晶圓全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過化學腐蝕與機械研磨的協(xié)同配合作用，利用CMP拋光液、拋光機和拋光墊等CMP拋光研磨耗材實現(xiàn)晶圓表面多余材料的去除與納米級全局平坦化。簡單來講，半導體晶圓制程可分為前道和后道 2 個環(huán)節(jié)。前道指晶圓的加工制造，后道工藝是芯片的封裝測試。  前道加工領(lǐng)域CMP主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。后道封裝領(lǐng)域CMP 工藝用于先進封裝環(huán)節(jié)的拋光。  晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括 7 個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注

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TSV拋光液---半導體3D封裝技術(shù)Slurry

  TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。  TSV工藝的優(yōu)勢：可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子JEEZ用于3D封裝

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藍寶石窗口平面加工--藍寶石研磨液

 藍寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍寶石視窗、高精度質(zhì)量藍寶石視窗是為各種光學、機械和電子應(yīng)用提供了強度、耐磨性、化學惰性適用于光學和激光應(yīng)用，這些藍寶石窗口設(shè)計用于關(guān)鍵的光學和激光應(yīng)用。藍寶石窗口的制程中關(guān)鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝，藍寶石研磨液適合用于大批量藍寶石窗口的生產(chǎn)應(yīng)用。  藍寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成，具有懸浮性好，不易結(jié)晶，易清洗等特點。用于藍寶石工件的鏡面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，無劃傷，表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍寶石窗口CMP拋光研磨液，性能穩(wěn)

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什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些？

  Oxide slurry 簡稱OX氧化物研磨液廣泛用于氧化層材料的CMP拋光，拋光研磨后達到精準的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圓表面的氧化硅層或者上層金屬與氧化硅之間的氧化硅層等。  吉致電子OX氧化層拋光液適用于4-12英寸氧化硅鍍膜片的氧化層拋光液。JEEZ半導體拋光液性能優(yōu)點：①使用純度高的納米拋光磨料，擁有高速率加工能力;②slurry粒徑大小均勻因此能獲得無缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗無殘留，對后續(xù)工藝影響小。 

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半導體行業(yè)CMP化學機械平坦化工藝Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化學機械平坦化工藝，應(yīng)用于各種集成電路及半導體行業(yè)等減薄與平坦化加工。  CMP工藝融合了化學研磨和物理研磨的過程，而單一的化學或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時滿足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點，通過拋光液/研磨液（slurry）與拋光墊（Pad）化學機械作用，在保證材料去除效率的同時，得到準確的表面材料層的厚度，獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性，實現(xiàn)納米級甚至原子級的表面粗糙度，同

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CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點及應(yīng)用

吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點：（1）磨料類型多樣化，包含單晶、多晶、類多晶及納米級金剛石等；（2）金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金剛石研磨液粘度可調(diào)整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應(yīng)用領(lǐng)域：1、拋光液CMP半導體晶片加工：藍寶石、碳化硅、氮化鎵等半導體晶片;2、拋光液陶瓷加工：氧化鋯指紋識別片、氧化鋯陶瓷手機后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工：不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進口slurry，CMP拋光液粒度規(guī)

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研磨液廠家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化學機械平面工藝中的研磨材料和化學添加劑的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性劑、氧化劑、PH緩沖膠和防腐劑等成分組成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二鋁（Al2O3）、 氧化鈰（CeO2）,金剛石（單晶、多晶）等。  通俗來講，芯片制造就像蓋高樓，一層一層往上疊加，要想樓不塌，在制造下一層前必須確保本層的平坦度，這就是CMP平坦化的訴求。Wafer晶圓在制造過程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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銅化學機械拋光液---什么是TSV技術(shù)？

銅機械化學拋光液---什么是TSV技術(shù)？TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢：TSV可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子

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拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導體材料？

  CMP拋光液用于幾代半導體材料？  CMP拋光液越來越多的應(yīng)用于第三代半導體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門檻和市場壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進的邏輯芯片工藝可能會要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來了更多的增長機會。  目前，第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。這代半導體具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力

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CMP拋光液廠家---蘋果Logo專用拋光液

  果粉們時常被MacBook，Iphone上閃閃發(fā)光的Apple Logo所驚艷到，那么蘋果手機和筆記本上的金屬Logo是如何實現(xiàn)鏡面工藝的呢？

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SIT Slurry平坦化流程與方法

淺槽隔離（shallow trench isolation），簡稱STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個部分：槽刻蝕，氧化硅填充，CMP拋光液平坦化。一，槽刻蝕1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護有源區(qū)在去掉氮化硅時免受化學污染2,氮化硅(Si?N?)淀積：氮化硅是堅硬的掩模材料，有助于保護STI氧化硅淀積過程中保護有源區(qū)；在化學機械拋光(CMP)中充當阻擋材料3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體

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吉致電子藍寶石研磨液CMP減薄工藝

  藍寶石研磨液/拋光液，是通過化學機械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于藍寶石襯底、窗口片的研磨和減薄，達到減薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致電子藍寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件產(chǎn)生劃傷。  吉致電子藍寶石研磨液、CMP拋光液可以應(yīng)用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研

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稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類

  隨著光學技術(shù)和集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，對光學元件的精密和超精密拋光以及集成電路的CMP拋光工藝的要求越來越高，甚至達到了極其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。鈰系稀土拋光液因其切削能力強、拋光精度高、拋光質(zhì)量好、使用壽命長，在光學精密拋光領(lǐng)域發(fā)揮了極其重要的作用。吉致電子氧化鈰拋光液的種類和固含量可按拋光工件的用途來分：根據(jù)氧化鈰的含量，氧化鈰拋光液可分為低鈰、中鈰和高鈰拋光液，其切削力和使用壽命也由低到高。1.含95%以上氧化鈰的鈰拋光液呈淡黃色，比重約7.3。主要適用于精密光學鏡片的

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半導體拋光液--球型二氧化硅拋光液的用途

  球形硅微粉作為拋光液磨料，可大大提高產(chǎn)品的剛性、耐磨性、耐候性、抗沖擊性、耐壓性、抗拉性、阻燃性、良好的耐電弧絕緣性和耐紫外線輻射性。讓我們來看看球型二氧化硅拋光液在電子芯片中的一些應(yīng)用。  精密研磨粉高純球形硅粉用于光學器件和光電行業(yè)的精密研磨，特別適用于半導體單晶多晶硅片、顯像管玻殼玻屏、光學玻璃、液晶顯示器(LCD、LED)玻璃基板、壓電晶體、化合物半導體材料(砷化鎵、磷化銦)、磁性材料等半導體行業(yè)的研磨拋光。  吉致電子用高純球形硅粉制備成的超高純硅溶膠拋光液slurry,

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納米氧化硅拋光液的特點

  納米二氧化硅拋光液由高純納米氧化硅SiO2等多種復合材料配置而成，通過電解法或離子交換法制備成納米拋光液，硅拋光液磨料分散性好，具有高強度、高附著力、成膜性好、高滲透、高耐候性、高耐磨性等特點，是一種性能優(yōu)良的CMP拋光材料。廣泛應(yīng)用于金屬或半導體電子封裝拋光工藝中。吉致電子硅拋光液，CMP拋光slurry應(yīng)用范圍：1、可用于微晶玻璃的表面拋光加工中。2、用于硅片的粗拋和精拋以及IC加工過程，適用于大規(guī)模集成電路多層化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圓的后道CMP清洗等半導體器件的加工過程、平面顯示器、多

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半導體拋光液---半導體材料有哪些？

  半導體業(yè)內(nèi)從材料端分為：第一代元素半導體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因為禁帶寬度大于2.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導體材料，在國內(nèi)也稱為第三代半導體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導體材料，堪稱半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道&

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陶瓷覆銅板DPC/DBC研磨拋光液工藝

  陶瓷覆銅板的制作工藝主要是DPC工藝和DBC工藝，DPC產(chǎn)品具備線路精準度高與表面平整度高的特性,非常適用于覆晶/共晶工藝,配合高導熱的陶瓷基體,顯著提升了散熱效率,是最適合高功率、小尺寸發(fā)展需求的陶瓷散熱基板。陶瓷覆銅基板需要用到CMP拋光工藝，利用拋光液和拋光墊達到表面光潔度或鏡面效果。  CMP拋光液對陶瓷覆銅基板的拋光研磨，可以做到粗拋、中拋、精拋效果。粗拋工藝，陶瓷覆銅板表面去除率高，快速拋磨。精拋工藝，基板表面無劃痕，可達反光鏡面效果。吉致電子針對陶瓷覆銅板制備的拋光研

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金屬手機邊框的鏡面拋光方法是什么？

  手機金屬外殼/手機邊框材質(zhì)一般為不銹鋼、鈦合金、鋁合金等，如華為\Iphone手機金屬邊框要達到完美的鏡面效果需要精拋步驟----手機鏡面拋光液slurry的主要成份是二氧化硅，二氧化硅拋光液外觀為乳白色，呈懸浮液狀態(tài)，在拋光過程中起到收光磨料的作用。  金屬手機精拋液的主要技術(shù)要求是什么呢？①鏡面拋光液PH值的選擇：PH值高低很可能會影響到最終的拋光效果，高低差別會導致手機金屬工件發(fā)黑氧化，以及麻點和起霧，所以如何控制PH值非常重要。②鏡面拋光液磨粒大小的選擇：氧化硅磨料顆粒大小，直接影響

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