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[行業(yè)資訊]吉致電子---磷化銦InP晶圓拋光液的市場現(xiàn)狀[ 2024-10-25 11:44 ]

目前，全球磷化銦（InP）晶圓市場的cmp拋光耗材主要由少數(shù)國外廠商主導。這些國外廠商憑借先進的技術和豐富的經(jīng)驗，在產(chǎn)品質量和性能方面具有顯著優(yōu)勢。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企業(yè)在全球半導體slurry拋光液市場中具有較高的知名度和占有率。相比之下，國內(nèi)企業(yè)的磷化銦（InP）晶圓拋光液研發(fā)起步較晚，但近年來隨著國內(nèi)半導體的快速發(fā)展，國產(chǎn)cmp拋光耗材也大量進入市場，國內(nèi)廠家也在不斷加大研發(fā)投入，努力提升拋光液、拋光墊產(chǎn)品

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[行業(yè)資訊]杜邦IC1000拋光墊的特點及國產(chǎn)替代[ 2024-10-23 14:50 ]

在半導體晶圓及芯片的制造過程中，CMP是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關鍵工藝，而IC1000作為一種高性能的拋光墊，為 CMP工藝的順利進行提供了有力保障。杜邦IC1000系列拋光墊能夠存儲和輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域，通過slurry的流動和分布使拋光工作持續(xù)均勻地進行。在化學機械拋光過程中，拋光液中的化學成分與晶圓表面材料產(chǎn)生化學反應，生成較易去除的物質，而dupont IC1000 Pad為這一化學反應提供了穩(wěn)定的場所。同時，IC1000拋光墊能夠去除拋光過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品，如氧化產(chǎn)物

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[吉致動態(tài)]Suba800拋光墊國產(chǎn)替代一樣香[ 2024-10-15 16:47 ]

Suba800是一款在半導體及集成電路相關領域被廣泛使用的cmp拋光墊。其作為化學機械平面研磨工藝的知名耗材，產(chǎn)品特性顯著且穩(wěn)定性高，適用于半導體硅片、晶圓、精密陶瓷、藍寶石襯底等工件的表面平坦化。 Suba800拋光墊還適用于光學和金屬材料的拋光。在光學材料的拋光中，Suba800能提供高透明度、低粗糙度的表面，提高光學性能。在金屬工件拋光中，Suba800能夠有效去除金屬表面的氧化膜和劃痕，使其表面更加光滑、亮麗。無錫吉致電子科技有限公司生產(chǎn)的 Suba800國產(chǎn)替代產(chǎn)品

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[行業(yè)資訊]納米拋光液---吉致電子氧化硅slurry的應用及特點[ 2024-10-10 16:56 ]

吉致電子納米級氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型CMP拋光產(chǎn)品。粒度均一的SiO2磨料顆粒在CMP研磨過程中分散均勻，能達到快速拋光的目的且不會對加工件造成物理損傷。納米級硅溶膠拋光液不易腐蝕設備，提高了使用的安全性。制備工藝和配方有效提高了平坦化加工速率，快速降低表面粗糙度，且工件表面劃傷少。吉致電子氧化硅slurry粒徑分布可控，根據(jù)不同的拋光需求，生產(chǎn)出不同粒徑大小的納米氧化硅拋光液，粒徑范圍通常在 5-100nm 之間。以氧化硅為磨料的納米拋

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[吉致動態(tài)]吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用[ 2024-10-03 12:06 ]

吉致電子鈮酸鋰晶體化學機械拋光液在多個領域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關鍵材料。通過CMP化學機械拋光，能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度，為后續(xù)的半導體器件制造提供優(yōu)質的基礎。例如，在集成電路的生產(chǎn)中，鈮酸鋰晶體化學機械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質，達到表面平坦化效果，確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學表面提供高光潔度拋光，因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能，在光電子領域有著廣泛的應用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學元件，表面粗糙度極低

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[吉致動態(tài)]歡度十一國慶：吉致電子與您共同慶祝祖國生日，共創(chuàng)美好未來[ 2024-10-01 00:00 ]

親愛的吉致電子同仁、客戶、合作伙伴： 2024年10月1日，中華人民共和國迎來75周年華誕，情牽華夏心連心，值此普天同慶的時刻，我們想借此機會表達對祖國、對奮斗拼搏的各位之深深熱愛和祝福，愿我們的祖國更上一層樓！吉致電子作為一家富有濃厚愛國情懷且正在蓬勃發(fā)展的電子科技企業(yè)，我們深知自己的使命與愿景：致力于研發(fā)生產(chǎn)卓越的集成電路精密拋光產(chǎn)品，為國家半導體行業(yè)貢獻一份力。吉致電子們與祖國同呼吸、共命運，有了祖國的支持我們的cmp拋光研磨產(chǎn)品才能不斷地推陳出新，吉致電子將始終堅守初心，全力以赴為客戶

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[吉致動態(tài)]吉致電子：CMP鉬金屬研磨液，點亮鉬材非凡光彩[ 2024-09-29 16:55 ]

無錫吉致電子科技有限公司是CMP研磨液、拋光墊及CMP拋光耗材研發(fā)生產(chǎn)廠家，至今已有 20 余年的研發(fā)經(jīng)驗。吉致電子CMP產(chǎn)品廣泛應用于金屬、光電、集成電路半導體、陶瓷、硬盤面板顯示器等材質的表面深度處理，目前已發(fā)展為集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的現(xiàn)代工業(yè)科技廠家。目前我司生產(chǎn)的鉬金屬研磨液適用于平面形態(tài)的鉬、鉬合金工件的鏡面拋光，通過化學機械平面研磨工藝，使鉬金屬表面快速去粗和平坦化，過程簡單來說就是利用拋光設備將鉬金屬拋光液化學氧化腐蝕鉬合金表面，再通過拋光墊外力研磨去除氧

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[常見問題]CMP拋光液---半導體拋光液種類有哪些[ 2024-08-09 09:01 ]

半導體拋光液種類有哪些？CMP拋光液在集成電路領域的應用遠不止晶圓拋光，半導體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化 STI淺溝槽隔離技術是用氧化物隔開各個門電路，使各門電路之間互不導通，STI CMP工藝的目標是去除填充在淺溝槽中的

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[常見問題]CMP拋光墊的種類及特點[ 2024-07-26 16:42 ]

Cmp拋光墊種類可按材質結構主要有：聚合物拋光墊、無紡布拋光墊、帶絨毛結構的無紡布拋光墊、復合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強度高、耐磨性強、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點，是最常用的拋光墊材料之一。圖聚氨酯拋光墊微觀結構在拋光過程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠將磨料顆粒保持在拋光液中，可以實現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘渣的排出。但聚氨酯拋光墊硬度過高，拋光過程中變形小，加工過程中容

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[常見問題]吉致電子CMP拋光墊的作用[ 2024-07-18 16:19 ]

CMP技術是指被拋光材料在化學和機械的共同作用下，工件表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。cmp拋光液中的化學成分與被拋磨工件材料表面進行化學反應，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機械載荷；④維持拋光過程所需的機械和化學環(huán)境。除拋光墊的力學性能以外，其表面組織

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[常見問題]SiC碳化硅襯底加工的主要步驟[ 2024-06-21 15:45 ]

SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個步驟：晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射線衍射法為晶錠定向，當一束 X 射線入射到需要定向的晶面后，通過衍射光束的角度來確定晶面的晶向。2.外圓滾磨：在石墨坩堝中生長的單晶的直徑大于標準尺寸，通過外圓滾磨將直徑減小到標準尺寸。3.端面磨：SiC 襯底一般有兩個定位邊，主定位邊與副定位邊，通過端面磨開出定位邊。4.線切割：線切割是碳化硅SiC 襯底加工過程中一道較為重要的工序。線切過程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面

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[行業(yè)資訊]LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液[ 2024-06-06 11:46 ]

鉭酸鋰LiTaO3作為非線性光學晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現(xiàn)今以光技術產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應用。晶體材料的結構與其光學性能息息相關，鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料，具有很高的應用價值。LiTaO3晶體以它的化學性能穩(wěn)定高（不溶與水），居里點高于600℃，不易出現(xiàn)退極化現(xiàn)象，介電損耗低，探測率優(yōu)值高的優(yōu)良特性，成為熱釋電紅外探測器的應用材料。經(jīng)過CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造，尤其以它良好的機電耦合、溫度系數(shù)等綜合性

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[吉致動態(tài)]吉致電子主要業(yè)務及CMP產(chǎn)品有哪些[ 2024-06-04 16:54 ]

吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務及服務行業(yè)有：半導體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產(chǎn)品包括：拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產(chǎn)品質量嚴格管控，多年研發(fā)經(jīng)驗技術，已為數(shù)家百強企業(yè)提供拋光解決方案并長期合作。吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品主要包括以下系列：半導體集成電路：Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /

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[常見問題]吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性[ 2024-05-31 17:13 ]

氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應用前景的半導體材料，具有優(yōu)異的電子特性和光學性能。在現(xiàn)代電子設備中，氮化鎵被廣泛應用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領域，并且在未來的 5G 通訊、電動汽車等領域也具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。然而，氮化鎵在制備過程中容易受到表面缺陷的影響，影響其性能和穩(wěn)定性，所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要，淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現(xiàn)在以下幾個方面：1，提高器件的光電性能：氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質量影響著器件的

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[吉致動態(tài)]碳化硅單晶襯底加工技術---CMP拋光工藝[ 2024-01-26 16:25 ]

碳化硅拋光工藝的實質是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標準如圖所示。碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機械拋光的關鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。目前，關于碳化硅晶片雙面拋光的報道較少，相關工藝

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[常見問題]CMP化學機械拋光在半導體領域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]

化學機械拋光（CMP）是半導體晶圓制造的關鍵步驟，這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術的關鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價值量，CMP耗材品質直接影響拋光效果，對提高晶圓制造質量至關重要。 CMP拋光液/墊技術壁壘較高，高品質的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs

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[應用案例]吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光[ 2023-12-18 17:58 ]

不銹鋼獲取高質量的鏡面的傳統(tǒng)工藝主要采用的拋光技術:電解拋光、化學拋光和機械拋光。隨著對鏡面不銹鋼表面質量要求的不斷提高，同時為了提高拋光效率，新型不銹鋼拋光工藝----CMP化學機械拋光被廣泛應用。吉致電子針對不銹鋼表面鏡面處理，配制組成的CMP拋光液，通過化學溶液提高不銹鋼表面活性，同時進行高速的機械拋光，用來消除表面凹凸而獲得更高質量的光潔鏡面。CMP化學機械拋光對環(huán)境污染最小，不銹鋼鏡面拋光質量最好，快速有效降低原始工件表面粗糙度，經(jīng)過粗拋和精拋工藝能達到鏡面效果，無劃傷、無凹坑、無麻點橘皮。根據(jù)金屬的種

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[吉致動態(tài)]金屬鉬片的CMP拋光工藝[ 2023-12-13 17:09 ]

工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產(chǎn)品合格率下降，也造成后續(xù)加工難度，這與金屬鉬的特性有關，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達到鏡面效果。鉬的特點：鉬是一種難溶金屬，具有很多優(yōu)良的物力化學和機械性能。由于原子間結合力極強，所以在常溫和高溫下強度均非常高。它的膨脹系數(shù)低，導電率大，導熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對大多數(shù)液態(tài)金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當穩(wěn)定。&

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[吉致動態(tài)]吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光[ 2023-12-08 16:41 ]

氮化鋁陶瓷基板具有高導熱率、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高機械強度、高耐腐蝕性等特點。其作為電路元件及互連線承載體，廣泛應用再軍事和空間技術通訊、計算機、儀器儀表、半導體電子設備、汽車等各個領域。氮化鋁陶瓷經(jīng)過CMP拋光后可用于半導體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達鏡面效果，特點如下：1、納米級拋光液，拋光后具有較優(yōu)的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環(huán)使用，根據(jù)工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過CMP

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[吉致動態(tài)]半導體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液[ 2023-10-31 17:20 ]

拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無損傷的平坦化表面。對于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學機械平面研磨工藝來進行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導體襯底，需要經(jīng)過單晶生長、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過程。由于磷化銦硬度小、質地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯密度并降低表面粗糙度。吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

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