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[行業(yè)資訊]吉致電子---磷化銦InP晶圓拋光液的市場現(xiàn)狀[ 2024-10-25 11:44 ]

目前，全球磷化銦（InP）晶圓市場的cmp拋光耗材主要由少數(shù)國外廠商主導(dǎo)。這些國外廠商憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的經(jīng)驗(yàn)，在產(chǎn)品質(zhì)量和性能方面具有顯著優(yōu)勢。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企業(yè)在全球半導(dǎo)體slurry拋光液市場中具有較高的知名度和占有率。相比之下，國內(nèi)企業(yè)的磷化銦（InP）晶圓拋光液研發(fā)起步較晚，但近年來隨著國內(nèi)半導(dǎo)體的快速發(fā)展，國產(chǎn)cmp拋光耗材也大量進(jìn)入市場，國內(nèi)廠家也在不斷加大研發(fā)投入，努力提升拋光液、拋光墊產(chǎn)品

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[行業(yè)資訊]杜邦I(lǐng)C1000拋光墊的特點(diǎn)及國產(chǎn)替代[ 2024-10-23 14:50 ]

在半導(dǎo)體晶圓及芯片的制造過程中，CMP是實(shí)現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝，而IC1000作為一種高性能的拋光墊，為 CMP工藝的順利進(jìn)行提供了有力保障。杜邦I(lǐng)C1000系列拋光墊能夠存儲和輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域，通過slurry的流動和分布使拋光工作持續(xù)均勻地進(jìn)行。在化學(xué)機(jī)械拋光過程中，拋光液中的化學(xué)成分與晶圓表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成較易去除的物質(zhì)，而dupont IC1000 Pad為這一化學(xué)反應(yīng)提供了穩(wěn)定的場所。同時(shí)，IC1000拋光墊能夠去除拋光過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品，如氧化產(chǎn)物

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[吉致動態(tài)]Suba800拋光墊國產(chǎn)替代一樣香[ 2024-10-15 16:47 ]

Suba800是一款在半導(dǎo)體及集成電路相關(guān)領(lǐng)域被廣泛使用的cmp拋光墊。其作為化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝的知名耗材，產(chǎn)品特性顯著且穩(wěn)定性高，適用于半導(dǎo)體硅片、晶圓、精密陶瓷、藍(lán)寶石襯底等工件的表面平坦化。 Suba800拋光墊還適用于光學(xué)和金屬材料的拋光。在光學(xué)材料的拋光中，Suba800能提供高透明度、低粗糙度的表面，提高光學(xué)性能。在金屬工件拋光中，Suba800能夠有效去除金屬表面的氧化膜和劃痕，使其表面更加光滑、亮麗。無錫吉致電子科技有限公司生產(chǎn)的 Suba800國產(chǎn)替代產(chǎn)品

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[行業(yè)資訊]納米拋光液---吉致電子氧化硅slurry的應(yīng)用及特點(diǎn)[ 2024-10-10 16:56 ]

吉致電子納米級氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型CMP拋光產(chǎn)品。粒度均一的SiO2磨料顆粒在CMP研磨過程中分散均勻，能達(dá)到快速拋光的目的且不會對加工件造成物理損傷。納米級硅溶膠拋光液不易腐蝕設(shè)備，提高了使用的安全性。制備工藝和配方有效提高了平坦化加工速率，快速降低表面粗糙度，且工件表面劃傷少。吉致電子氧化硅slurry粒徑分布可控，根據(jù)不同的拋光需求，生產(chǎn)出不同粒徑大小的納米氧化硅拋光液，粒徑范圍通常在 5-100nm 之間。以氧化硅為磨料的納米拋

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[吉致動態(tài)]吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用[ 2024-10-03 12:06 ]

吉致電子鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導(dǎo)體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關(guān)鍵材料。通過CMP化學(xué)機(jī)械拋光，能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度，為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如，在集成電路的生產(chǎn)中，鈮酸鋰晶體化學(xué)機(jī)械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì)，達(dá)到表面平坦化效果，確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學(xué)表面提供高光潔度拋光，因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能，在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學(xué)元件，表面粗糙度極低

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[吉致動態(tài)]歡度十一國慶：吉致電子與您共同慶祝祖國生日，共創(chuàng)美好未來[ 2024-10-01 00:00 ]

親愛的吉致電子同仁、客戶、合作伙伴： 2024年10月1日，中華人民共和國迎來75周年華誕，情牽華夏心連心，值此普天同慶的時(shí)刻，我們想借此機(jī)會表達(dá)對祖國、對奮斗拼搏的各位之深深熱愛和祝福，愿我們的祖國更上一層樓！吉致電子作為一家富有濃厚愛國情懷且正在蓬勃發(fā)展的電子科技企業(yè)，我們深知自己的使命與愿景：致力于研發(fā)生產(chǎn)卓越的集成電路精密拋光產(chǎn)品，為國家半導(dǎo)體行業(yè)貢獻(xiàn)一份力。吉致電子們與祖國同呼吸、共命運(yùn)，有了祖國的支持我們的cmp拋光研磨產(chǎn)品才能不斷地推陳出新，吉致電子將始終堅(jiān)守初心，全力以赴為客戶

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[吉致動態(tài)]吉致電子：CMP鉬金屬研磨液，點(diǎn)亮鉬材非凡光彩[ 2024-09-29 16:55 ]

無錫吉致電子科技有限公司是CMP研磨液、拋光墊及CMP拋光耗材研發(fā)生產(chǎn)廠家，至今已有 20 余年的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。吉致電子CMP產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金屬、光電、集成電路半導(dǎo)體、陶瓷、硬盤面板顯示器等材質(zhì)的表面深度處理，目前已發(fā)展為集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的現(xiàn)代工業(yè)科技廠家。目前我司生產(chǎn)的鉬金屬研磨液適用于平面形態(tài)的鉬、鉬合金工件的鏡面拋光，通過化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝，使鉬金屬表面快速去粗和平坦化，過程簡單來說就是利用拋光設(shè)備將鉬金屬拋光液化學(xué)氧化腐蝕鉬合金表面，再通過拋光墊外力研磨去除氧

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[常見問題]CMP拋光液---半導(dǎo)體拋光液種類有哪些[ 2024-08-09 09:01 ]

半導(dǎo)體拋光液種類有哪些？CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠(yuǎn)不止晶圓拋光，半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層（Oxide CMP）、多晶硅（Poly CMP）、金屬層（Metal CMP）。就拋光工藝而言，不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程，28nm制程需要12~13次CMP，進(jìn)入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍，達(dá)到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化 STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開各個(gè)門電路，使各門電路之間互不導(dǎo)通，STI CMP工藝的目標(biāo)是去除填充在淺溝槽中的

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[常見問題]CMP拋光墊的種類及特點(diǎn)[ 2024-07-26 16:42 ]

Cmp拋光墊種類可按材質(zhì)結(jié)構(gòu)主要有：聚合物拋光墊、無紡布拋光墊、帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布拋光墊、復(fù)合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強(qiáng)度高、耐磨性強(qiáng)、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點(diǎn)，是最常用的拋光墊材料之一。圖聚氨酯拋光墊微觀結(jié)構(gòu) 在拋光過程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠?qū)⒛チ项w粒保持在拋光液中，可以實(shí)現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘?jiān)呐懦?。但聚氨酯拋光墊硬度過高，拋光過程中變形小，加工過程中容

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[常見問題]吉致電子CMP拋光墊的作用[ 2024-07-18 16:19 ]

CMP技術(shù)是指被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，工件表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過程。cmp拋光液中的化學(xué)成分與被拋磨工件材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；④維持拋光過程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力學(xué)性能以外，其表面組織

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[常見問題]SiC碳化硅襯底加工的主要步驟[ 2024-06-21 15:45 ]

SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個(gè)步驟：晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射線衍射法為晶錠定向，當(dāng)一束 X 射線入射到需要定向的晶面后，通過衍射光束的角度來確定晶面的晶向。2.外圓滾磨：在石墨坩堝中生長的單晶的直徑大于標(biāo)準(zhǔn)尺寸，通過外圓滾磨將直徑減小到標(biāo)準(zhǔn)尺寸。3.端面磨：SiC 襯底一般有兩個(gè)定位邊，主定位邊與副定位邊，通過端面磨開出定位邊。4.線切割：線切割是碳化硅SiC 襯底加工過程中一道較為重要的工序。線切過程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面

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[行業(yè)資訊]LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液[ 2024-06-06 11:46 ]

鉭酸鋰LiTaO3作為非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現(xiàn)今以光技術(shù)產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。晶體材料的結(jié)構(gòu)與其光學(xué)性能息息相關(guān)，鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料，具有很高的應(yīng)用價(jià)值。LiTaO3晶體以它的化學(xué)性能穩(wěn)定高（不溶與水），居里點(diǎn)高于600℃，不易出現(xiàn)退極化現(xiàn)象，介電損耗低，探測率優(yōu)值高的優(yōu)良特性，成為熱釋電紅外探測器的應(yīng)用材料。經(jīng)過CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造，尤其以它良好的機(jī)電耦合、溫度系數(shù)等綜合性

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[吉致動態(tài)]吉致電子主要業(yè)務(wù)及CMP產(chǎn)品有哪些[ 2024-06-04 16:54 ]

吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務(wù)及服務(wù)行業(yè)有：半導(dǎo)體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產(chǎn)品包括：拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產(chǎn)品質(zhì)量嚴(yán)格管控，多年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)技術(shù)，已為數(shù)家百強(qiáng)企業(yè)提供拋光解決方案并長期合作。吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品主要包括以下系列：半導(dǎo)體集成電路：Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /

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[常見問題]吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性[ 2024-05-31 17:13 ]

氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和光學(xué)性能。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，氮化鎵被廣泛應(yīng)用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領(lǐng)域，并且在未來的 5G 通訊、電動汽車等領(lǐng)域也具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。然而，氮化鎵在制備過程中容易受到表面缺陷的影響，影響其性能和穩(wěn)定性，所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要，淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1，提高器件的光電性能：氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質(zhì)量影響著器件的

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[吉致動態(tài)]碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝[ 2024-01-26 16:25 ]

碳化硅拋光工藝的實(shí)質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標(biāo)準(zhǔn)如圖所示。碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機(jī)械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機(jī)械拋光的關(guān)鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。目前，關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報(bào)道較少，相關(guān)工藝

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[常見問題]CMP化學(xué)機(jī)械拋光在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體晶圓制造的關(guān)鍵步驟，這項(xiàng)工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達(dá)到半導(dǎo)體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量，CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果，對提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。 CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高，高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs

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[應(yīng)用案例]吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光[ 2023-12-18 17:58 ]

不銹鋼獲取高質(zhì)量的鏡面的傳統(tǒng)工藝主要采用的拋光技術(shù):電解拋光、化學(xué)拋光和機(jī)械拋光。隨著對鏡面不銹鋼表面質(zhì)量要求的不斷提高，同時(shí)為了提高拋光效率，新型不銹鋼拋光工藝----CMP化學(xué)機(jī)械拋光被廣泛應(yīng)用。吉致電子針對不銹鋼表面鏡面處理，配制組成的CMP拋光液，通過化學(xué)溶液提高不銹鋼表面活性，同時(shí)進(jìn)行高速的機(jī)械拋光，用來消除表面凹凸而獲得更高質(zhì)量的光潔鏡面。CMP化學(xué)機(jī)械拋光對環(huán)境污染最小，不銹鋼鏡面拋光質(zhì)量最好，快速有效降低原始工件表面粗糙度，經(jīng)過粗拋和精拋工藝能達(dá)到鏡面效果，無劃傷、無凹坑、無麻點(diǎn)橘皮。根據(jù)金屬的種

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[吉致動態(tài)]金屬鉬片的CMP拋光工藝[ 2023-12-13 17:09 ]

工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產(chǎn)品合格率下降，也造成后續(xù)加工難度，這與金屬鉬的特性有關(guān)，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達(dá)到鏡面效果。鉬的特點(diǎn)：鉬是一種難溶金屬，具有很多優(yōu)良的物力化學(xué)和機(jī)械性能。由于原子間結(jié)合力極強(qiáng)，所以在常溫和高溫下強(qiáng)度均非常高。它的膨脹系數(shù)低，導(dǎo)電率大，導(dǎo)熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應(yīng)，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對大多數(shù)液態(tài)金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當(dāng)穩(wěn)定。&

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[吉致動態(tài)]吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光[ 2023-12-08 16:41 ]

氮化鋁陶瓷基板具有高導(dǎo)熱率、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高機(jī)械強(qiáng)度、高耐腐蝕性等特點(diǎn)。其作為電路元件及互連線承載體，廣泛應(yīng)用再軍事和空間技術(shù)通訊、計(jì)算機(jī)、儀器儀表、半導(dǎo)體電子設(shè)備、汽車等各個(gè)領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷經(jīng)過CMP拋光后可用于半導(dǎo)體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達(dá)鏡面效果，特點(diǎn)如下：1、納米級拋光液，拋光后具有較優(yōu)的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環(huán)使用，根據(jù)工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過CMP

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[吉致動態(tài)]半導(dǎo)體襯底拋光工藝---磷化銦InP拋光液[ 2023-10-31 17:20 ]

拋光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，獲得無損傷的平坦化表面。對于磷化銦INP材料，目前主要采用 CMP化學(xué)機(jī)械平面研磨工藝來進(jìn)行拋光。使用吉致電子磷化銦拋光液，可達(dá)到理想的表面粗糙度。磷化銦INP作為半導(dǎo)體襯底，需要經(jīng)過單晶生長、切片、外圓倒角、研磨、拋光及清洗等工藝過程。由于磷化銦硬度小、質(zhì)地軟脆，在鋸切及研磨加工工藝中，晶片表面容易產(chǎn)生表面/亞表面損傷層，需要通過最終的CMP拋光工藝去除表面/亞表面損傷、減少位錯(cuò)密度并降低表面粗糙度。吉致電子磷化銦拋光液采用氧化鋁

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