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[常見(jiàn)問(wèn)題]SiC碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？[ 2024-04-30 18:03 ]: 碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類，無(wú)論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大干億賽道的關(guān)鍵材料之一。例如:單晶方面：碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面：碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，近年來(lái)隨著新能源汽車、半導(dǎo)體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā)，深深地滲入到這些新興領(lǐng)域的; http://m.5minute-ebook.com/Article/sicthgyyly_1.html

[常見(jiàn)問(wèn)題]第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別[ 2023-11-03 17:35 ]: 隨著國(guó)家對(duì)第三代半導(dǎo)體材料的重視，近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)發(fā)展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注，兩者經(jīng)常被拿來(lái)比較。同為寬近帶半導(dǎo)體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)。隨著市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求，這類材料的市場(chǎng)需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。 ①性能不同：高電子遷移; http://m.5minute-ebook.com/Article/dsdbdtthgh_1.html

[吉致動(dòng)態(tài)]第三代半導(dǎo)體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液[ 2023-04-17 16:49 ]: 隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時(shí)硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，以化合物半導(dǎo)體材料，特別是第三代半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體新材料快速崛起。碳化硅是新型電力系統(tǒng)，特高壓電網(wǎng)必需的可達(dá)萬(wàn)伏千安等級(jí)的唯一功率半導(dǎo)體材料，同時(shí)也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國(guó)際技術(shù)發(fā)展水平來(lái)看，碳化硅方面，8英寸襯底開(kāi)始產(chǎn)業(yè)化，車規(guī)級(jí)功率器件是當(dāng)前開(kāi)發(fā)重點(diǎn)，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品，碳化硅器件正向耐受更高電壓; http://m.5minute-ebook.com/Article/dsdbdtclth_1.html

[行業(yè)資訊]拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？[ 2023-02-17 15:50 ]: CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？ CMP拋光液越來(lái)越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門(mén)檻和市場(chǎng)壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對(duì)CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進(jìn)的邏輯芯片工藝可能會(huì)要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來(lái)了更多的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。目前，第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力; http://m.5minute-ebook.com/Article/pgycjcmppg_1.html

[行業(yè)資訊]半導(dǎo)體拋光液---半導(dǎo)體材料有哪些？[ 2022-11-17 15:37 ]: 半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為：第一代元素半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導(dǎo)體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因?yàn)榻麕挾却笥?.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在國(guó)內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道&; http://m.5minute-ebook.com/Article/bdtpgybdtc_1.html

吉致電子拋光材料源頭廠家
25年專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)