您好,歡迎來到吉致電子科技有限公司官網(wǎng)!
收藏本站|在線留言|網(wǎng)站地圖

吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

訂購熱線:17706168670
熱門搜索: 阻尼布拋光墊復合拋光皮復合拋光墊粗拋皮粗拋墊
吉致電子專注金屬拋光、陶瓷拋光、半導體拋光、硬盤面板拋光
當前位置:首頁» 常見問題 » 第三代半導體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

第三代半導體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

文章出處:責任編輯:人氣:-發(fā)表時間:2023-11-03 17:35【

  隨著國家對第三代半導體材料的重視,近年來我國半導體材料市場發(fā)展迅猛,CMP Slurry 半導體拋光液的需求也在增長。其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注,兩者經(jīng)常被拿來比較。

  同為寬近帶半導體的成員,碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢?碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導體材料,它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導電性能好的特點。隨著市場對半導體器件微型化、導熱性的高要求,這類材料的市場需求暴漲,適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。

吉致電子拋光液 氮化鎵和碳化硅.jpg

  ①性能不同:高電子遷移率和電子飽和速度允許更高的工作頻率,高臨界場允許這些器件能在更高的電壓和更低的漏電流中操作。對于射頻和開關(guān)電源設(shè)備而言,氮化鎵NaG的電子遷移率高于碳化硅SiC,而碳化硅高于硅,故氮化鎵應該最終成為極高頻率的最佳設(shè)備材料,高導熱系數(shù)意味著材料能夠更有效的傳導熱量,碳化硅具有更高的熱導率,意味著碳化硅器件理論上可以在更高的功率密度下操作。氮化鎵相對較差的導熱性使系統(tǒng)設(shè)計人員處理氮化鎵器件的熱量管理面臨一個挑戰(zhàn)。

  ②應用不同:氮化鎵和碳化硅在材料性能上各有優(yōu)劣,因此在應用領(lǐng)域上各有側(cè)重和互補。

  氮化鎵的商業(yè)化應用始于led照明和激光器,而射頻和功率器件是發(fā)揮氮化鎵寬禁帶半導體特性的主要應用領(lǐng)域。5G基站會用到多發(fā)多收天線陣列方案,氮化鎵射頻器件對于整個天線系統(tǒng)的功耗和尺寸都有巨大的改進,因此5G通信將是氮化鎵射頻器件市場的主要增長驅(qū)動因素。碳化硅能大大降低功率轉(zhuǎn)換中的開關(guān)損耗,因此具有更好的能源轉(zhuǎn)換效率,更容易實現(xiàn)模塊的小型化,更耐高溫。目前主要用于高溫、高頻、高效能的大功率元件,如智能電網(wǎng)、交通、新能源汽車、光伏、風電。其中新能源汽車是碳化硅功率器件市場的主要增長驅(qū)動因素,主要的運動器件有功率控制單元、逆電器、BCDC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等。

  吉致電子關(guān)于第三代半導體材料碳化硅、氮化鎵的CMP化學機械表面平坦化工藝,研發(fā)的研磨液拋光液,具有低缺陷、高去除率和良好的平坦化效果,我司碳化硅拋光液、氮化鎵拋光液在實際應用中均有良好的表現(xiàn),數(shù)據(jù)媲美進口半導體拋光液,可以做到國產(chǎn)化替代。

本文由無錫吉致電子科技原創(chuàng),版權(quán)歸無錫吉致電子科技,未經(jīng)允許,不得轉(zhuǎn)載,轉(zhuǎn)載需附出處及原文鏈接。http://m.5minute-ebook.com/

無錫吉致電子科技有限公司

聯(lián)系電話:17706168670

郵編:214000

地址:江蘇省無錫市新吳區(qū)行創(chuàng)四路19-2

相關(guān)資訊