CMP技術(shù)是使被拋光材料在化學(xué)和機械的共同作用下，材料表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。拋光液中的化學(xué)成分與材料表面進行化學(xué)反應(yīng)，形成易拋光的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。

 在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：

①傳遞材料去除所需的機械載荷；

②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如工件碎屑、拋光碎片等）；

③使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán)；

④維持拋光過程所需的機械和化學(xué)環(huán)境。

  除拋光墊的力學(xué)性能以外，其表面組織特征，如微孔形狀、孔隙率、溝槽形狀等，可通過影響拋光液流動和分布，來決定拋光效率和平坦性指標。

  拋光墊（Pad）必須對拋光液（Slurry）具有良好的保持性，在加工時可以涵養(yǎng)足夠的拋光液，使CMP中的機械和化學(xué)反應(yīng)充分作用。為了保持拋光過程的穩(wěn)定性、均勻性和可重復(fù)性，拋光墊材料的物理性質(zhì)、化學(xué)性質(zhì)以及表面形貌等特性，都需要保持穩(wěn)定。

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