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[應(yīng)用案例]Sic Slurry 吉致電子碳化硅晶圓拋光液[ 2023-04-11 11:07 ]

吉致電子碳化硅精拋液，適用于Sic碳化硅晶圓襯底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度拋光、低粗糙度的特點(diǎn)，SiC碳化硅襯底拋光液拋光后的晶圓表面無劃傷、霧等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致電子研發(fā)的碳化硅拋光液稀釋比高、拋光后表面易清洗，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路襯底的制造中。吉致電子SiC Slurry wafer拋光液具有很好的流動性和分散性，不易結(jié)晶、易清洗、拋光效率高等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足碳化硅晶片的精拋加工要求，也可根據(jù)客戶工藝調(diào)整做定制化硅晶圓(si wafer)

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[吉致動態(tài)]硅溶膠研磨液--精密工件鏡面拋光效果秘密[ 2023-01-06 13:52 ]

吉致電子硅溶膠研磨液/拋光液采用的是納米級工藝，主要粒徑在10-150nm。適用于各種材質(zhì)工件的CMP表面鏡面處理。以硅溶膠漿料為鏡面的平面研磨的材料有半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、3C電子金屬元件、藍(lán)寶石襯底、LED顯示屏等高精密元件。硅溶膠拋光液也稱二氧化硅拋光液、氧化硅精拋液，SiO2是硅溶膠的化學(xué)名，適用范圍已擴(kuò)展到半導(dǎo)體產(chǎn)品的CMP拋光工藝中。 CMP拋光機(jī)可以將氧化硅研磨液循環(huán)引入磨盤，同時起到潤滑和冷卻的作用，通過拋光液和拋光墊組合拋磨可以使工件表面粗糙度達(dá)到0.2um

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[常見問題]3C鏡面拋光液用什么拋光液[ 2022-12-09 16:18 ]

3C產(chǎn)品表面鏡面拋光一般不采用電解拋光方式，而是選擇CMP機(jī)械拋光工藝。SiO2拋光液用于3C工件的鏡面拋光工藝，主要由納米級磨料制備而成，規(guī)格一般在10nm-150nm拋光后的產(chǎn)品鏡面精度高，表面收光細(xì)膩。氧化硅精拋液進(jìn)行精拋工藝后，工件可以從霧面提升到鏡面透亮的效果。拋光液配合精拋皮使用，鏡面效果檢測可達(dá)納米級。3C金屬拋光液用于鏡面要求較高的工件拋光，因此必須做好前道工序。先粗拋打好基礎(chǔ)，再精拋去除缺陷和不良效果。有客戶使用二氧化硅拋光液后工件表面會產(chǎn)生麻點(diǎn)，這是由于

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[吉致動態(tài)]吉致電子淺槽隔離拋光液怎么用[ 2022-10-31 16:47 ]

吉致電子淺槽隔離拋光液適用范圍：單晶硅、多晶硅的研磨拋光，存儲器制程和背照式傳感器(BSI)制程等。 STI Slurry 適用于集成電路當(dāng)中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型凹陷可調(diào)，低缺陷等特性。可應(yīng)用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學(xué)物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。可定制選擇穩(wěn)定的選擇比，去除速率，對氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點(diǎn)。BS

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[吉致動態(tài)]氧化硅拋光液的結(jié)晶問題[ 2022-08-12 13:25 ]

氧化硅拋光液長時間暴露在空氣中，會使水分蒸發(fā)剩下固體氧化硅，造成硅晶體析出現(xiàn)象，稱之為結(jié)晶。在實(shí)際應(yīng)用時，硅溶膠拋光液會一直在磨盤內(nèi)旋轉(zhuǎn)循環(huán)及流動，結(jié)晶現(xiàn)象較少，但是高溫或拋光液濃度沒有配置好，會造成團(tuán)聚，損傷工件，影響拋光效果。根據(jù)二氧化硅的特性，吉致電子拋光液廠家開發(fā)了抗結(jié)晶納米二氧化硅拋光液，可以長時間保持氧化硅穩(wěn)定液體狀態(tài)。拋磨工件時易搖散且不團(tuán)聚，化學(xué)性能穩(wěn)定分散均勻，氧化硅精拋液拋光效率高，能有效縮短工時，磨拋后工件呈現(xiàn)鏡面效果，無劃傷、高平坦。外需要注意的是，氧化硅拋光液的

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吉致電子拋光材料源頭廠家
25年專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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