- [吉致動態(tài)]吉致電子手機取卡針拋光液[ 2023-03-17 17:34 ]
- 吉致電子手機液態(tài)金屬拋光液,手機取卡針拋光液,研磨拋光漿料為粗拋、中拋、精拋漿料懸浮性好,特點是不易沉淀、不結晶、不腐蝕機臺,易于清洗。 適用于3C電子產(chǎn)品,手機電子元器件、液態(tài)金屬、喇叭網(wǎng)聽筒/手機音量鍵、碳素鋼拋光液可以迅速去除CNC刀紋、底紋等,拋光后無劃傷、橘皮、坑點、針眼等缺陷不含重金屬以及有害物質、環(huán)保無危害,可接觸皮膚。 產(chǎn)品運用拋光液中的CMP化學機械作用,提高拋光速率改善拋光表面的質量顆粒粒徑分布適中,最大程度提升拋光速率的同時降低微劃傷的概率顆粒分散性好,有
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- [常見問題]吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導體行業(yè)的應用[ 2023-02-09 13:14 ]
- CMP化學機械拋光應用于各種集成電路及半導體行業(yè)等減薄與平坦化拋光,吉致電子拋光液在半導體行業(yè)的應用,主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。 CMP一般包括三道拋光工序,包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求,需要調(diào)整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質、結構及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素,直接影響工件表面的拋光質量。 在半導體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中,也存在
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- [常見問題]藍寶石拋光液--拋光磨料粒徑、濃度及流速的影響[ 2022-12-08 11:33 ]
- 藍寶石拋光液磨料粒徑、濃度及流速的影響研究表明,在其它條件相同情況下, 隨著藍寶石拋光漿料濃度的增大, 拋光速率增大。對于粒徑為80nm的研磨料: 藍寶石拋光液的質量分數(shù)為10% 時, CMP去除速率為572.2nm /m in; 而隨著質量分數(shù)增大至15%時,CMP去除速率增大至598.8nm/min; 質量分數(shù)繼續(xù)增大至20% 時, CMP去除速率則增大至643.3nm/min。這主要是因為藍寶石拋光液濃度的增大, 使得拋光過程中參與機械磨削的粒子數(shù)增多, 相應的有效粒子數(shù)也增多, 粒徑一定的情況下,
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- [吉致動態(tài)]吉致電子Slurry拋光漿料--阻擋層拋光液[ 2022-11-11 13:26 ]
- 目前,超大規(guī)模集成電路芯片的集成度已經(jīng)達到了數(shù)十億個元件,特征尺寸已經(jīng)達到了納米級,這就需要微電子技術中的數(shù)百道工序,尤其是多層布線、襯底、介質等必須通過CMP化學機械技術,拋光液和拋光墊磨拋達到平坦化。VLSI布線正從傳統(tǒng)的鋁布線工藝向銅布線工藝轉變。 銅材質具有快速遷移的特性,容易通過介質層擴散,導致相鄰銅線之間漏電,進而導致器件特性失效。一般在沉積銅之前,在介質襯底上沉積擴散阻擋層,工業(yè)上已經(jīng)廣泛使用的阻擋層材料是tan/ta。 化學拋光(CMP)技術slurry拋光漿料
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- [常見問題]吉致電子硅溶膠拋光液的適用范圍[ 2022-08-19 15:44 ]
- 硅溶膠拋光液又稱氧化硅拋光液,通過離子交換法和水解法制備不同粒徑的穩(wěn)定硅溶膠,經(jīng)過鈍化添加化學助劑和特殊工藝配制成的二氧化硅拋光漿料,廣泛應用于集成電路半導體、特殊材料、金屬工件、脆硬鏡面的拋光。吉致電子25年CMP拋光液生產(chǎn)廠家,可根據(jù)客戶不同工藝要求定制調(diào)整拋光漿料。氧化硅拋光液主要適用范圍:1.可用于玻璃陶瓷的表面拋光。2.用于硅片和IC加工的粗拋和精拋,適用于大規(guī)模集成電路多層膜的平坦化。3.用于半導體元件的加工,如晶圓后道CMP清洗、光導攝像管、多晶化模塊、平板顯示器、微電機系統(tǒng)等。4.廣泛應用于CMP化
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- [吉致動態(tài)]鏡面拋光液---氧化硅拋光液在拋光中的作用[ 2022-08-12 14:17 ]
- 鏡面拋光液的主要材料是納米二氧化硅磨料,制備成的液體漿料也稱為硅溶膠拋光液。二氧化硅拋光液主要適用于拋光藍寶石襯底、硅片、半導體、精密電子工件、晶體等產(chǎn)品。二氧化硅拋光漿料主要利用硅膠離子的高速拋光來達到表面處理的效果。二氧化硅是用納米技術制成的。根據(jù)工件拋磨要求,可制備出不同切削力的產(chǎn)品達到鏡面拋光。粒度控制可以有效減少電子工件上的污垢,使用納米級硅膠顆粒加工工件,不會損傷工件,同時還能達到理想效果氧化硅拋光液需要配合精拋墊使用,精拋墊的主要成分是聚氨酯,聚氨酯的眾多孔隙可以將拋光液均勻地粘在其表面,與工件一起研
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