目前，超大規(guī)模集成電路芯片的集成度已經(jīng)達到了數(shù)十億個元件，特征尺寸已經(jīng)達到了納米級，這就需要微電子技術中的數(shù)百道工序，尤其是多層布線、襯底、介質等必須通過CMP化學機械技術，拋光液和拋光墊磨拋達到平坦化。VLSI布線正從傳統(tǒng)的鋁布線工藝向銅布線工藝轉變。

  銅材質具有快速遷移的特性，容易通過介質層擴散，導致相鄰銅線之間漏電，進而導致器件特性失效。一般在沉積銅之前，在介質襯底上沉積擴散阻擋層，工業(yè)上已經(jīng)廣泛使用的阻擋層材料是tan/ta。

  化學拋光(CMP)技術slurry拋光漿料仍然是銅布線平面化最有效的工藝。隨著半導體制程的不斷縮小，銅互連布線的寬度和銅膜的厚度減小，這要求過度拋光的持續(xù)時間逐漸縮短。同時，由于工藝的收縮，不同線寬的銅線尺寸比有所增加，過度拋光可能導致更大的凹陷。吉致電子阻擋層拋光液的配方設計可以在較低的拋光壓力條件下實現(xiàn)介質層/銅的拋光速率選擇比可調，實現(xiàn)ishing、erosion的修復。

 吉致電子CMP拋光液廠家，專業(yè)研發(fā)半導體芯片、晶圓、襯底相關拋光液產(chǎn)品，提供Slurry拋光漿料,阻擋層拋光液,CMP拋光液,半導體拋光液,銅拋光液等產(chǎn)品定制與生產(chǎn)。

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