化學(xué)機械拋光技術(shù)初是用于獲得高質(zhì)量的玻璃表面，如軍用望眼鏡等，它是通過軟磨硬的原理進行拋光，在CMP中，通常是被拋光晶體下壓在拋光墊上與其進行相反的旋轉(zhuǎn)，而含有磨料和化學(xué)反應(yīng)物的拋光液在晶片和拋光墊之間流動，實現(xiàn)晶片表面層的鈍化和去除，在他們的化學(xué)反應(yīng)下形成精細的表面。但是CMP會受到很多技術(shù)影響，比如對不同拋光的材質(zhì)，化學(xué)作用和機械作用對材料去除和表面平整的關(guān)系大不相同，比如在典型的二氧化硅拋光中，機械的相互作用起主導(dǎo)作用，而金屬材料的拋光中，即使沒有機械的相互作用，酸性的拋光液也可以溶解金屬表面層，體現(xiàn)出這是化學(xué)作用主導(dǎo)的拋光過程。

拋光液所含的化學(xué)劑和晶片表面互相作用，然后磨粒沖擊晶片表面獲得機械切除?；瘜W(xué)作用在難于被磨損的金屬CMP尤為重要，在金屬拋光的拋光液中可以包含強的刻蝕劑和氧化劑，對金屬產(chǎn)生強沖擊和溶解，另外拋光液中還可以包含鈍化劑以保護表層，比如在銅的拋光中，刻蝕和鈍化的聯(lián)合作用可以形成效率的平整表面。

拋光液對CMP過程有重要作用。在拋光中,其所含的化學(xué)物質(zhì)與晶片表面或亞表面相互作用形成軟化層或者弱鍵,或者對晶片表面產(chǎn)生鈍化反應(yīng)從而使得材料可以以光滑和均勻的方式被切除,其所含的固體(納米)顆粒對軟化或弱鍵表面的磨損形成精表面。事實上,在CMP中,重要的相互作用就是表層膜的形成與切除(如晶片金屬涂層的氧化與切除)、切除材料從表面帶走等。

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