吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產

射頻濾波器CMP拋光液·參數吉致電子，CMP拋光材料 可定制·速率高·效果好·專利配方CUSTOMIZABLE, HIGH SPEED, GOOD EFFECT AND PATENTED FORMULA

產品名稱：射頻濾波器拋光液/淺溝槽隔離化學機械拋光液

產品簡介：射頻濾波器拋光液適用于集成電路當中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。

具有高的銅去除速率，碟型凹陷可調，低缺陷等特性?？蓱糜谶壿嬓酒约?D NAND和DRAM芯片等量產使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。

適用范圍：

單晶硅、多晶硅的研磨拋光，存儲器制程和背照式傳感器(BSI)制程等。可定制選擇穩(wěn)定的選擇比，去除速率，對氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點。BSI拋光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和選擇比。涵蓋TSV銅/阻擋層Slurry，TSV晶背銅/介質層拋Slurry、TSV晶背硅Slurry、TSV晶背硅/銅Slurry等。具有高去除速率、選擇比可調等優(yōu)點。以及集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光等等。

吉致電子射頻濾波器拋光液特點：

1.分散性好。

2.粒徑分布廣泛：10-150nm。

3.高純度，有效減小對電子類產品的沾污。

4.適合與各種拋光墊、合成材料配合拋光使用。

5.PH、粒徑、穩(wěn)定離子等可以根據客戶定制(10-150 nm)。

6.經特殊工藝合成的化學機械拋光液，納米顆粒呈球形，單分散，大小均勻，粒徑分布窄，可獲得高質量的拋光精度。

7.RR、dishing、range等效果都不錯，對于si和psg的選擇比也很好

拋光過程中具有：

1.高拋光速率，利用大粒徑的膠體二氧化硅粒子達到高速拋光的目的。（可以生產150nm）。

2.高平坦度加工，吉致氧化硅精拋液是利用SiO2的膠體粒子，不會對加工件造成物理損傷，達到高平坦化加工。

拋光過程后具有：

1.精度可以達到納米

2.劃傷和挖傷可以達到0/0

吉致電子STI拋光液使用方法：

1.可根據拋光操作條件用去離子水進行5-20倍稀釋。

2.稀釋后，粗拋時調節(jié)PH11左右，精拋時調節(jié)PH9.5左右。pH調節(jié)可以用10%的鹽酸、醋酸、檸檬酸、KOH或氨水在充分攪拌下慢慢加入。

3.循環(huán)拋光可以用原液。

吉致電子射頻濾波器拋光液儲存方法：

1.貯存時應避免曝曬，貯存溫度為5-35℃

2.低于0℃以上儲存，防止結冰，在無度以下因產生不可再分散結塊而失效。

3.避免敞口長期與空氣接觸。

吉致電子射頻濾波器拋光液價格：

吉致電子的射頻濾波器拋光液生產技術是引進國外生產技術和設備，特殊化學配方制備而成。吉致電子拋光液品質可以媲美進口同類產品。

本土化生產的優(yōu)勢使吉致電子CMP拋光液產品交貨周期快，品質好，拋光液價格實惠親民。

吉致電子研發(fā)團隊--15年經驗CMP拋光液配方工程師，為您攻克拋光難題！

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