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吉致電子拋光液----碳化硅SiC襯底CMP研磨/拋光方案詳解
吉致電子以幫助用戶持續(xù)提升效率及良品率為目標(biāo),針對碳化硅襯底DMP和CMP工藝不斷優(yōu)化研發(fā)和改善。通過長期的研發(fā)積累,打破長期被國外壟斷的關(guān)鍵耗材,實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化替代。SIC襯底研磨拋光工藝使用的研磨液、拋光液、研磨墊、拋光墊該怎么選擇搭配,以及CMP產(chǎn)品使用效果如何,碳化硅研磨/拋光工藝產(chǎn)品推薦及參數(shù)詳解如下:
碳化硅襯底簡要加工流程:混料→晶體生長→切片→MP研磨OR砂輪研磨→CMP拋光→清洗檢測。
碳化硅襯底研磨液一般選用優(yōu)質(zhì)類多晶金剛石,有較高的強(qiáng)度、韌性和自銳性,在研磨拋光應(yīng)用中可實(shí)現(xiàn)碳化硅晶圓非常高的表面質(zhì)量,同時(shí)顯著提升材料去除率。吉致電子可根據(jù)要求定制slurry產(chǎn)品,一般粒度為:1.5-1μm、1μm、2-4μm、5μm等。
Step 1:碳化硅SIC粗磨工藝測試數(shù)據(jù)---6吋碳化硅晶片 拋光液:JZ-8003 拋光墊:JZ-2020 壓力:3psi 拋光速率:25-30μm/H 表面粗糙度RA:1.22nm
Step 2:碳化硅SIC精磨工藝測試數(shù)據(jù)---6吋碳化硅晶片 拋光液:JZ-8001 拋光墊:JZ-2020 壓力:3psi 拋光速率:6.8μm/H 表面粗糙度RA:0.45nm
Step 3:碳化硅SIC粗拋工藝測試數(shù)據(jù)---6吋碳化硅晶片 拋光液:JZ-8010 拋光墊:JZ-2020 壓力:350g/cm2 拋光速率:2.5μm/H 表面粗糙度RA:0.13nm
Step 4:碳化硅SIC精拋工藝測試數(shù)據(jù)---6吋碳化硅晶片 拋光液:JZ-8020 精拋墊:JZ-326 壓力:300g/cm2 拋光速率:0.25μm/H 表面粗糙度RA:0.06nm
吉致電子碳化硅SIC粗拋液/精拋液 產(chǎn)品使用說明:
碳化硅c襯底搭配吉致電子CMP拋光液、拋光墊使用后表面粗糙度達(dá)0.06nm及以下:
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