碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝？SiC碳化硅襯底研磨拋工藝和設(shè)備使用CMP化學機械研磨工藝，耗材有CMP專用碳化硅研磨液/拋光液/研磨墊/拋光墊。

  碳化硅SiC是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

  第三代半導體，由于在物理結(jié)構(gòu)上具有能級禁帶寬的特點，又稱為寬禁帶半導體，主要是以氮化鎵和碳化硅為代表，其在半導體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區(qū)別，使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢，從而能夠開發(fā)出更適應(yīng)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基功率半導體器件及其材料的物理極限。

  化學機械拋光（CMP）技術(shù)是目前半導體加工的重要手段，也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑最有效的工藝方法。CMP的加工效率主要由工件表面的化學反應(yīng)速率決定。通過研究工藝參數(shù)對SiC材料拋光速率的影響，結(jié)果表明：旋轉(zhuǎn)速率和拋光壓力的影響較大；溫度和拋光液pH值的影響不大。碳化硅使用CMP工藝是能在加工過程中同時實現(xiàn)局部和全局平坦化的唯一實用技術(shù)。

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